Projekt:2016/Geschichte der Informatik/Speichermedien: Unterschied zwischen den Versionen

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JannikS

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 ===Magnetische Speicherung===
-Gespeichert wird hier auf magnetisierbarem [https://de.wikipedia.org/wiki/Magnetisierung] Material, meist Bänder, Karten, Papier oder Platten. Alle magnetischen Medien außer der Kernspeicher werden mittels eines Lese-Schreib-Kopfes gelesen, bzw. beschrieben. Unterschieden wird zwischen zwei Techniken, bei der sich entweder der fest installierte Kopf über einer oder mehreren rotierenden Platte/n befindet oder der Kopf sich über einer Feststehenden Platte bewegt und diese beschreibt oder liest.
+Gespeichert wird hier auf magnetisierbarem [https://de.wikipedia.org/wiki/Magnetisierung] Material, meist Bänder, Karten, Papier oder Platten. Alle magnetischen Medien außer der Kernspeicher werden mittels eines Lese-Schreib-Kopfes gelesen, bzw. beschrieben. Unterschieden wird zwischen zwei Techniken, bei der sich entweder der fest installierte Kopf über einer oder mehreren rotierenden Platte/n befindet oder der Kopf sich über einer Feststehenden Platte bewegt und diese beschreibt oder liest.[[Datei:3,5"-Diskette.jpg|miniatur|rechts|Ein rotierendes magnetisches Speichermedium: Die Diskette]]
 ===Optische Speicherung===
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 *'''Flash-EEPROM''': Der Flash-EEPROM oder Flash-Speicher und besser bekannt als ''USB-Sticks'' ist die miniaturisierte Form eines EEPROMS, die gleichzeitig auch einen niedrigeren Energieverbrauch hat. Jedoch ist es hier nicht mehr, wie beim EEPROM, möglich einzelne Bytes zu löschen.
-*'''FRAM''' (''ferroelectric random access memory'' ;ferroelektrischer Festwertspeicher''): Ist ähnlich wie ein DRAM aufgebaut nur, dass Speichern und Löschen nicht mit Hilfe von herkömmlichen Kondensatoren, sondern durch die Polarisationsänderung einer ferroelektrischen Schicht geschieht. FRAMs werden häufig als Alternative zu EEPROMs, Flash-EEPROMS und SRAMs verwendet, da sie deutlich schneller und stromsparender sind.
+*'''FRAM''' (''ferroelectric random access memory ;ferroelektrischer Festwertspeicher''): Ist ähnlich wie ein DRAM aufgebaut nur, dass Speichern und Löschen nicht mit Hilfe von herkömmlichen Kondensatoren, sondern durch die Polarisationsänderung einer ferroelektrischen Schicht geschieht. FRAMs werden häufig als Alternative zu EEPROMs, Flash-EEPROMS und SRAMs verwendet, da sie deutlich schneller und stromsparender sind.
-*'''MRAM''' (''magnetoresistive random Access memory''; magnetoresistiver Festwertspeicher''): Bei dem MRAM wird sich die Eigenschaft mancher Materialien zu Nutze gemacht den Widerstand unter Einfluss von magnetischen Feldern zu ändern. Sie finden auf Grund ihres hohen Preises hauptsächlich Anwendung in industriellen Systemen, auch vermehrt in der Raumfahrt wegen ihrer großen Strahlungsfestigkeit.
+*'''MRAM''' (''magnetoresistive random Access memory; magnetoresistiver Festwertspeicher''): Bei dem MRAM wird sich die Eigenschaft mancher Materialien zu Nutze gemacht den Widerstand unter Einfluss von magnetischen Feldern zu ändern. Sie finden auf Grund ihres hohen Preises hauptsächlich Anwendung in industriellen Systemen, auch vermehrt in der Raumfahrt wegen ihrer großen Strahlungsfestigkeit.
 *'''PRAM''' (Phase-Change random Access Memory; phasenwechselnder Festwertspeicher): Ist einer der jüngst entwickelten Speicher (2009). Funktioniert auf Grund der Eigenschaft von Materialien ihren Widerstand zu verändern, wenn sie sich in amorpher (hoher Widerstand) oder kristalliner (niedriger Widerstand) Form, bzw. '''"Phase"''' befinden. Da der Phasenwechsel sehr schnell und oft hintereinander wiederholbar ist, eignet er sich gut als Alternative zu DRAM und SRAM und als Flash-Speicher.