Projekt:2016/Geschichte der Informatik/Speichermedien: Unterschied zwischen den Versionen

*'''MRAM''' (''magnetoresistive random Access memory''; magnetoresistiver Festwertspeicher''): Bei dem MRAM wird sich die Eigenschaft mancher Materialien zu Nutze gemacht den Widerstand unter Einfluss von magnetischen Feldern zu ändern. Sie finden auf Grund ihres hohen Preises hauptsächlich Anwendung in industriellen Systemen, auch vermehrt in der Raumfahrt wegen ihrer großen Strahlungsfestigkeit.

*'''PRAM''' (Phase-Change random Access Memory; phasenwechselnder Festwertspeicher): Ist einer der jüngst entwickelten Speicher (2009). Funktioniert auf Grund der Eigenschaft von Materialien ihren Widerstand zu verändern, wenn sie sich in amorpher (hoher Widerstand) oder kristalliner (niedriger Widerstand) Form, bzw. '''"Phase"''' befinden. Da der Phasenwechsel sehr schnell und oft hintereinander wiederholbar ist, eignet er sich gut als Alternative zu DRAM und SRAM und als Flash-Speicher.